IPAN65R650CEXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPAN65R650CEXKSA1 | IPAN65R650CEXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPAN65R650CEXKSA1

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Número de parte	IPAN65R650CEXKSA1
LIXINC Part #	IPAN65R650CEXKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPAN65R650CEXKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPAN65R650CEXKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IPAN65R650CEXKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 210µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	440 pF @ 100 V
característica fet:	Super Junction
disipación de potencia (máx.):	28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220 Full Pack
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack