SSM6K411TU(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6K411TU(TE85L,F | SSM6K411TU(TE85L,F Inventory, Best Pricing

SSM6K411TU(TE85L,F

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Número de parte	SSM6K411TU(TE85L,F
LIXINC Part #	SSM6K411TU(TE85L,F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 10A UF6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM6K411TU(TE85L,F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM6K411TU(TE85L,F Especificaciones

Número de parte:	SSM6K411TU(TE85L,F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	710 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	UF6
paquete / caja:	6-SMD, Flat Leads