FCH023N65S3-F155 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCH023N65S3-F155

FCH023N65S3-F155

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FCH023N65S3-F155
LIXINC Part #	FCH023N65S3-F155
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FCH023N65S3-F155 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FCH023N65S3-F155 Especificaciones

Número de parte:	FCH023N65S3-F155
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	SuperFET® III
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	23mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 7.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	222 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7160 pF @ 400 V
característica fet:	Super Junction
disipación de potencia (máx.):	595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247 Long Leads
paquete / caja:	TO-247-3