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STFI6N65K3

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Número de parte	STFI6N65K3
LIXINC Part #	STFI6N65K3
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STFI6N65K3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STFI6N65K3 Especificaciones

Número de parte:	STFI6N65K3
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	SuperMESH3™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 50µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	880 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I2PAKFP (TO-281)
paquete / caja:	TO-262-3 Full Pack, I²Pak