IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IPSA70R1K4P7SAKMA1 Inventory, Best Pricing

IPSA70R1K4P7SAKMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IPSA70R1K4P7SAKMA1
LIXINC Part #	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPSA70R1K4P7SAKMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPSA70R1K4P7SAKMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ P7
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	700 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 40µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.7 nC @ 400 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	158 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	22.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO251-3
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA