APTM120DA30CT1G | Roving Networks / Microchip Technology APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

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Número de parte	APTM120DA30CT1G
LIXINC Part #	APTM120DA30CT1G
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APTM120DA30CT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APTM120DA30CT1G Especificaciones

Número de parte:	APTM120DA30CT1G
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	POWER MOS 8™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	31A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	360mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	560 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	14560 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	657W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SP1
paquete / caja:	SP1

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