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STLD200N4F6AG

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Número de parte	STLD200N4F6AG
LIXINC Part #	STLD200N4F6AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STLD200N4F6AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STLD200N4F6AG Especificaciones

Número de parte:	STLD200N4F6AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	172 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	10700 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
paquete / caja:	8-PowerWDFN