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Número de parte | SIDR610DP-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIDR610DP-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | SIDR610DP-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | SIDR610DP-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 200 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 7.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 38 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 1380 pF @ 100 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PowerPAK® SO-8DC |
paquete / caja: | PowerPAK® SO-8 |
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En stock | 11977 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.58000 | $3.58 |
3000 | $1.99250 | $5977.5 |
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