TK65S04K3L(T6L1,NQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK65S04K3L(T6L1,NQ | TK65S04K3L(T6L1,NQ Inventory, Best Pricing

TK65S04K3L(T6L1,NQ

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Número de parte	TK65S04K3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TK65S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK65S04K3L(T6L1,NQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK65S04K3L(T6L1,NQ Especificaciones

Número de parte:	TK65S04K3L(T6L1,NQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIV
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	65A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	63 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2800 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK+
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AO6400	MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP	854 Más sobre el pedido
TQM025NB04CR RLG	MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU	5884 Más sobre el pedido
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FDS2170N3	MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC	3439 Más sobre el pedido
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AON6382	MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN	925 Más sobre el pedido
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