FQU5N50CTU-WS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQU5N50CTU-WS

FQU5N50CTU-WS

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Número de parte	FQU5N50CTU-WS
LIXINC Part #	FQU5N50CTU-WS
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQU5N50CTU-WS Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQU5N50CTU-WS Especificaciones

Número de parte:	FQU5N50CTU-WS
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	625 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA