IRF2807ZSTRLPBF

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Número de parte IRF2807ZSTRLPBF
LIXINC Part # IRF2807ZSTRLPBF
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IRF2807ZSTRLPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF2807ZSTRLPBF Especificaciones

Número de parte:IRF2807ZSTRLPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):75 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:75A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:9.4mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:110 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3270 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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