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IRFB812PBF

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Número de parte	IRFB812PBF
LIXINC Part #	IRFB812PBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFB812PBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFB812PBF Especificaciones

Número de parte:	IRFB812PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.6A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	810 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3

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