TSM80N1R2CI C0G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM80N1R2CI C0G | TSM80N1R2CI C0G Inventory, Best Pricing

TSM80N1R2CI C0G

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Número de parte	TSM80N1R2CI C0G
LIXINC Part #	TSM80N1R2CI C0G
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM80N1R2CI C0G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM80N1R2CI C0G Especificaciones

Número de parte:	TSM80N1R2CI C0G
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	19.4 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	685 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	ITO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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