IPW60R045CPFKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW60R045CPFKSA1 | IPW60R045CPFKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW60R045CPFKSA1

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Número de parte	IPW60R045CPFKSA1
LIXINC Part #	IPW60R045CPFKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPW60R045CPFKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPW60R045CPFKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IPW60R045CPFKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	45mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 3mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	190 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6800 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	431W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3
paquete / caja:	TO-247-3

UF3C065080K3S	MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3	1442 Más sobre el pedido
NVMYS2D4N04CTWG	MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4	956 Más sobre el pedido
IRLR3717PBF	MOSFET N-CH 20V 120A DPAK	6358 Más sobre el pedido
SSP1N50B	N-CHANNEL POWER MOSFET	2865 Más sobre el pedido
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