RCD075N19TL | ROHM Semiconductor RCD075N19TL | RCD075N19TL Inventory, Best Pricing

RCD075N19TL

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Número de parte	RCD075N19TL
LIXINC Part #	RCD075N19TL
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RCD075N19TL Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RCD075N19TL Especificaciones

Número de parte:	RCD075N19TL
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	190 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1100 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	CPT3
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63