NTLJF4156NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

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Número de parte	NTLJF4156NT1G
LIXINC Part #	NTLJF4156NT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTLJF4156NT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 12 - Sep 16 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTLJF4156NT1G Especificaciones

Número de parte:	NTLJF4156NT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.5A (Tj)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	427 pF @ 15 V
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-WDFN (2x2)
paquete / caja:	6-WDFN Exposed Pad