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IRF6621TRPBF

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Número de parte	IRF6621TRPBF
LIXINC Part #	IRF6621TRPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF6621TRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF6621TRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRF6621TRPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta), 55A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	9.1mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.25V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1.46 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DIRECTFET™ SQ
paquete / caja:	DirectFET™ Isometric SQ