TK31E60W,S1VX | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

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Número de parte	TK31E60W,S1VX
LIXINC Part #	TK31E60W,S1VX
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK31E60W,S1VX Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK31E60W,S1VX Especificaciones

Número de parte:	TK31E60W,S1VX
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	30.8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.7V @ 1.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	86 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3000 pF @ 300 V
característica fet:	Super Junction
disipación de potencia (máx.):	230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220
paquete / caja:	TO-220-3