IXFQ50N60X | Wickmann / Littelfuse IXFQ50N60X | IXFQ50N60X Inventory, Best Pricing

IXFQ50N60X

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Número de parte	IXFQ50N60X
LIXINC Part #	IXFQ50N60X
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXFQ50N60X Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXFQ50N60X Especificaciones

Número de parte:	IXFQ50N60X
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	HiPerFET™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	73mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 4mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	116 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4660 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	660W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-3P
paquete / caja:	TO-3P-3, SC-65-3