Solo por referencia
Número de parte | SI2319DDS-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI2319DDS-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | SI2319DDS-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | SI2319DDS-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® Gen III |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | P-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 40 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 75mOhm @ 2.7A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 650 pF @ 20 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
paquete / caja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
IXFK170N20P | MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA | 849 Más sobre el pedido |
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AOSX21319C | MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6 | 851 Más sobre el pedido |
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IPB100P03P3L-04 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 891 Más sobre el pedido |
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STT5N2VH5 | MOSFET N-CH 20V SOT23-6 | 1882 Más sobre el pedido |
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NTMFS6B05NT3G | MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN | 923 Más sobre el pedido |
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FQP32N12V2 | MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3 | 2240 Más sobre el pedido |
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IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD | 943 Más sobre el pedido |
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SIHF22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 906 Más sobre el pedido |
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IRFU1N60APBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA | 3512 Más sobre el pedido |
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IRFIBE30GPBF | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 | 1576 Más sobre el pedido |
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FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 40127 Más sobre el pedido |
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IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1320 Más sobre el pedido |
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BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60897 Más sobre el pedido |
En stock | 17149 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
3000 | $0.20274 | $608.22 |
6000 | $0.19038 | $1142.28 |
15000 | $0.17803 | $2670.45 |
30000 | $0.16937 | $5081.1 |
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