APT56F60B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT56F60B2

APT56F60B2

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Número de parte	APT56F60B2
LIXINC Part #	APT56F60B2
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APT56F60B2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APT56F60B2 Especificaciones

Número de parte:	APT56F60B2
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	POWER MOS 8™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	110mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	280 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	11300 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	T-MAX™ [B2]
paquete / caja:	TO-247-3 Variant