AUIRFS4127 | IR (Infineon Technologies) AUIRFS4127 | AUIRFS4127 Inventory, Best Pricing

AUIRFS4127

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AUIRFS4127
LIXINC Part #	AUIRFS4127
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AUIRFS4127 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AUIRFS4127 Especificaciones

Número de parte:	AUIRFS4127
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	72A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	22mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5380 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D²PAK (TO-263AB)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB