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IRFR3711TRLPBF

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Número de parte	IRFR3711TRLPBF
LIXINC Part #	IRFR3711TRLPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFR3711TRLPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFR3711TRLPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFR3711TRLPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	44 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2.98 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D-Pak
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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