TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

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Número de parte	TPW1R306PL,L1Q
LIXINC Part #	TPW1R306PL,L1Q
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPW1R306PL,L1Q Especificaciones

Número de parte:	TPW1R306PL,L1Q
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIX-H
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	260A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	91 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8100 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DSOP Advance
paquete / caja:	8-PowerVDFN