STP4NK60Z | STMicroelectronics STP4NK60Z | STP4NK60Z Inventory, Best Pricing

STP4NK60Z

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STP4NK60Z
LIXINC Part #	STP4NK60Z
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STP4NK60Z Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STP4NK60Z Especificaciones

Número de parte:	STP4NK60Z
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	SuperMESH™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 50µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	510 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3