IXFH20N100P | Wickmann / Littelfuse IXFH20N100P | IXFH20N100P Inventory, Best Pricing

IXFH20N100P

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IXFH20N100P
LIXINC Part #	IXFH20N100P
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXFH20N100P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXFH20N100P Especificaciones

Número de parte:	IXFH20N100P
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	HiPerFET™, PolarP2™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1000 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	6.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	126 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7300 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	660W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247AD (IXFH)
paquete / caja:	TO-247-3