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HUF76629D3ST

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Número de parte	HUF76629D3ST
LIXINC Part #	HUF76629D3ST
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HUF76629D3ST Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HUF76629D3ST Especificaciones

Número de parte:	HUF76629D3ST
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	UltraFET™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1.285 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252AA
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63