RUM001L02T2CL | ROHM Semiconductor RUM001L02T2CL | RUM001L02T2CL Inventory, Best Pricing

RUM001L02T2CL

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	RUM001L02T2CL
LIXINC Part #	RUM001L02T2CL
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RUM001L02T2CL Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RUM001L02T2CL Especificaciones

Número de parte:	RUM001L02T2CL
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.2V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7.1 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	VMT3
paquete / caja:	SOT-723