2SK1317-E | Renesas Electronics America 2SK1317-E | 2SK1317-E Inventory, Best Pricing

2SK1317-E

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	2SK1317-E
LIXINC Part #	2SK1317-E
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK1317-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK1317-E Especificaciones

Número de parte:	2SK1317-E
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	990 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-3P
paquete / caja:	TO-3P-3, SC-65-3