Solo por referencia
Número de parte | HUF75345G3 |
LIXINC Part # | HUF75345G3 |
Fabricante | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | HUF75345G3 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | HUF75345G3 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | UltraFET™ |
paquete: | Tube |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 55 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 7mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 275 nC @ 20 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 4000 pF @ 25 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 325W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
paquete de dispositivos del proveedor: | TO-247-3 |
paquete / caja: | TO-247-3 |
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En stock | 11439 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.30000 | $4.3 |
10 | $3.85212 | $38.5212 |
450 | $2.88241 | $1297.0845 |
900 | $2.36019 | $2124.171 |
1350 | $2.21098 | $2984.823 |
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