Solo por referencia
Número de parte | FDN8601 |
LIXINC Part # | FDN8601 |
Fabricante | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | FDN8601 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | FDN8601 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | PowerTrench® |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 100 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 2.7A (Ta) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 6V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 109mOhm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 5 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 210 pF @ 50 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | SuperSOT-3 |
paquete / caja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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En stock | 14621 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.91000 | $0.91 |
3000 | $0.40270 | $1208.1 |
6000 | $0.38257 | $2295.42 |
15000 | $0.36818 | $5522.7 |
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