FDMS86350ET80 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS86350ET80

FDMS86350ET80

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Número de parte	FDMS86350ET80
LIXINC Part #	FDMS86350ET80
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDMS86350ET80 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDMS86350ET80 Especificaciones

Número de parte:	FDMS86350ET80
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	25A (Ta), 198A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	8V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	155 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8030 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.3W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Power56
paquete / caja:	8-PowerTDFN