BUK6E4R0-75C,127 | Rochester Electronics BUK6E4R0-75C,127 | BUK6E4R0-75C,127 Inventory, Best Pricing

BUK6E4R0-75C,127

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Número de parte	BUK6E4R0-75C,127
LIXINC Part #	BUK6E4R0-75C,127
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BUK6E4R0-75C,127 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BUK6E4R0-75C,127 Especificaciones

Número de parte:	BUK6E4R0-75C,127
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	75 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.8V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	234 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	15.45 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I2PAK
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA