IPB60R080P7ATMA1

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Número de parte IPB60R080P7ATMA1
LIXINC Part # IPB60R080P7ATMA1
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IPB60R080P7ATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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IPB60R080P7ATMA1 Especificaciones

Número de parte:IPB60R080P7ATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™ P7
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:37A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 590µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:51 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2180 pF @ 400 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):129W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D²PAK (TO-263AB)
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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