TSM60NB1R4CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM60NB1R4CH C5G | TSM60NB1R4CH C5G Inventory, Best Pricing

TSM60NB1R4CH C5G

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Número de parte	TSM60NB1R4CH C5G
LIXINC Part #	TSM60NB1R4CH C5G
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM60NB1R4CH C5G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM60NB1R4CH C5G Especificaciones

Número de parte:	TSM60NB1R4CH C5G
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7.12 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	257.3 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-251 (IPAK)
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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