IPS80R2K0P7AKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPS80R2K0P7AKMA1 | IPS80R2K0P7AKMA1 Inventory, Best Pricing

IPS80R2K0P7AKMA1

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Número de parte	IPS80R2K0P7AKMA1
LIXINC Part #	IPS80R2K0P7AKMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPS80R2K0P7AKMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPS80R2K0P7AKMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPS80R2K0P7AKMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ P7
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 50µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	175 pF @ 500 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO251-3-342
paquete / caja:	TO-251-3 Stub Leads, IPak