PHT6NQ10T,135 | Nexperia PHT6NQ10T,135 | PHT6NQ10T,135 Inventory, Best Pricing

PHT6NQ10T,135

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Número de parte	PHT6NQ10T,135
LIXINC Part #	PHT6NQ10T,135
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHT6NQ10T,135 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHT6NQ10T,135 Especificaciones

Número de parte:	PHT6NQ10T,135
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	633 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA