TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TPH2R306NH,L1Q
LIXINC Part #	TPH2R306NH,L1Q
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPH2R306NH,L1Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPH2R306NH,L1Q Especificaciones

Número de parte:	TPH2R306NH,L1Q
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6100 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP Advance (5x5)
paquete / caja:	8-PowerVDFN