TPH3208PD | Transphorm TPH3208PD | TPH3208PD Inventory, Best Pricing

TPH3208PD

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TPH3208PD
LIXINC Part #	TPH3208PD
Fabricante	Transphorm
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPH3208PD Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPH3208PD Especificaciones

Número de parte:	TPH3208PD
Marca:	Transphorm
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Transphorm
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 300µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	760 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3