APT56M50B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT56M50B2

APT56M50B2

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Número de parte	APT56M50B2
LIXINC Part #	APT56M50B2
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APT56M50B2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APT56M50B2 Especificaciones

Número de parte:	APT56M50B2
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	56A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	100mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	220 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8800 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	780W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	T-MAX™
paquete / caja:	TO-247-3 Variant

IXTH44P15T	MOSFET P-CH 150V 44A TO247	932 Más sobre el pedido
FDD5N50TM	4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE	3957 Más sobre el pedido
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