ES6U2T2R | ROHM Semiconductor ES6U2T2R | ES6U2T2R Inventory, Best Pricing

ES6U2T2R

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	ES6U2T2R
LIXINC Part #	ES6U2T2R
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ES6U2T2R Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ES6U2T2R Especificaciones

Número de parte:	ES6U2T2R
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	110 pF @ 10 V
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-WEMT
paquete / caja:	SOT-563, SOT-666