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FDME430NT

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Número de parte	FDME430NT
LIXINC Part #	FDME430NT
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDME430NT Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDME430NT Especificaciones

Número de parte:	FDME430NT
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	40mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	760 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	MicroFet 1.6x1.6 Thin
paquete / caja:	6-PowerUFDFN