IPP80N06S4L07AKSA2 | Rochester Electronics IPP80N06S4L07AKSA2 | IPP80N06S4L07AKSA2 Inventory, Best Pricing

IPP80N06S4L07AKSA2

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IPP80N06S4L07AKSA2
LIXINC Part #	IPP80N06S4L07AKSA2
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	PFET, 80A I(D), 60V, 0.0064OHM,
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPP80N06S4L07AKSA2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPP80N06S4L07AKSA2 Especificaciones

Número de parte:	IPP80N06S4L07AKSA2
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 40µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5.68 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220-3-1
paquete / caja:	TO-220-3