STL130N8F7 | STMicroelectronics STL130N8F7 | STL130N8F7 Inventory, Best Pricing

STL130N8F7

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STL130N8F7
LIXINC Part #	STL130N8F7
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STL130N8F7 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STL130N8F7 Especificaciones

Número de parte:	STL130N8F7
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	DeepGATE™, STripFET™ VII
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	130A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	96 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6340 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerFlat™ (5x6)
paquete / caja:	8-PowerVDFN