FDS8817NZ

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Número de parte FDS8817NZ
LIXINC Part # FDS8817NZ
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD FDS8817NZ Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDS8817NZ Especificaciones

Número de parte:FDS8817NZ
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:15A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2400 pF @ 15 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:8-SOIC
paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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