IXFR12N100Q | Wickmann / Littelfuse IXFR12N100Q | IXFR12N100Q Inventory, Best Pricing

IXFR12N100Q

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Número de parte	IXFR12N100Q
LIXINC Part #	IXFR12N100Q
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXFR12N100Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXFR12N100Q Especificaciones

Número de parte:	IXFR12N100Q
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	HiPerFET™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1000 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.1Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5.5V @ 4mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2900 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	ISOPLUS247™
paquete / caja:	ISOPLUS247™