STU9HN65M2 | STMicroelectronics STU9HN65M2 | STU9HN65M2 Inventory, Best Pricing

STU9HN65M2

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STU9HN65M2
LIXINC Part #	STU9HN65M2
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STU9HN65M2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STU9HN65M2 Especificaciones

Número de parte:	STU9HN65M2
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	MDmesh™ M2
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	820mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	325 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA