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FDFMA2P859T

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Número de parte	FDFMA2P859T
LIXINC Part #	FDFMA2P859T
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDFMA2P859T Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDFMA2P859T Especificaciones

Número de parte:	FDFMA2P859T
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.8V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	435 pF @ 10 V
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	MicroFET 2x2 Thin
paquete / caja:	6-UDFN Exposed Pad