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FDG315N

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Número de parte	FDG315N
LIXINC Part #	FDG315N
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDG315N Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDG315N Especificaciones

Número de parte:	FDG315N
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	220 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-88 (SC-70-6)
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363