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TP65H050WS

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Número de parte	TP65H050WS
LIXINC Part #	TP65H050WS
Fabricante	Transphorm
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TP65H050WS Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TP65H050WS Especificaciones

Número de parte:	TP65H050WS
Marca:	Transphorm
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Transphorm
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	34A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	12V
rds en (máx.) @ id, vgs:	60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.8V @ 700µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1000 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3